GaN基LED外延结构

摘要

本实用新型提供一种GaN基LED外延结构，该LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层，P型AlGaN层，P型GaN层。其中，N型GaN层包括依次排布的第一GaN层、高掺杂N型GaN层和第二GaN层，第一GaN层和第二GaN层分别由若干非掺杂层和掺杂层交替排列组成，且高掺杂N型GaN层掺杂浓度不小于所述掺杂层。本实用新型采用渐变的N型GaN层结构，能减少位错密度，有利电流扩展，提高材料的抗静电能力，同时对低电流密度的LED芯片有利于提高亮度；另一方面，此结构可以提高电子浓度，从而提高电子迁移率，降低发光电压，LED芯片电压比正常电压低3%-5%，提高了抗静电能力。

主权项

一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层，P型AlGaN层，P型GaN层；所述N型GaN层包括依次排布的第一GaN层、高掺杂N型GaN层和第二GaN层；所述第一GaN层和第二GaN层分别由若干非掺杂层和掺杂层交替排列组成，且所述高掺杂N型GaN层掺杂浓度不小于所述掺杂层。