半导体装置和其制造方法

摘要

明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与闸极电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作通道保护层的氧化物绝缘层，并在形成该氧化物绝缘层时形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将闸极电极层与形成在该闸极电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。

主权项

一种半导体装置，包含：闸极布线层、源极布线层、及电源线；第一电晶体；第二电晶体，包括闸极电极、源极电极、及汲极电极；电容，包括第一电极与第二电极；在该第一电晶体、该第二电晶体、及该电容上的绝缘层；以及在该绝缘层上的像素电极层，其中该第一电晶体包含：闸极电极层；在该闸极电极层上的闸极绝缘层；在该闸极绝缘层上的氧化物半导体层，该氧化物半导体层包含与该闸极电极层重叠之通道形成区，该闸极绝缘层介于其间；在该氧化物半导体层上的氧化物绝缘层，该氧化物绝缘层包括第一接触孔与第二接触孔，其中该氧化物绝缘层覆盖该氧化物半导体层的边缘；在该氧化物绝缘层上的源极电极层，该源极电极层经由该氧化物绝缘层的该第一接触孔电性连接至该氧化物半导体层；在该氧化物绝缘层上的汲极电极层，该汲极电极层经由该氧化物绝缘层的该第二接触孔电性连接至该氧化物半
导体层；以及其中，该第一电晶体的该源极电极层与该氧化物半导体层的第一端重叠，该氧化物绝缘层介于其间，其中，该第一电晶体的该汲极电极层与该氧化物半导体层的第二端重叠，该氧化物绝缘层介于其间，其中，该闸极布线层包括该第一电晶体的该闸极电极层，其中，该源极布线层包括该第一电晶体的该源极电极层，其中，该闸极布线层在布线交叉中与该源极布线层交叉，其中，在该布线交叉中，该闸极绝缘层与该氧化物绝缘层设置于该闸极布线层与该源极布线层之间，其中，该第一电晶体的该汲极电极层电性连接至该电容的该第一电极，其中，该第一电晶体的该汲极电极层电性连接至该第二电晶体的该闸极电极，其中，该第二电晶体的该源极电极与该汲极电极之一者电性连接至该电源线，其中，该第二电晶体的该源极电极与该汲极电极之另一者电性连接至该像素电极层，以及其中，该氧化物绝缘层包含矽。