| 发明名称 | 用于编程擦除读取纳米级电阻性存储装置的页缓冲器架构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于编程擦除读取纳米级电阻性存储装置的页缓冲器架构，基于单一命令，提供高电流于编程和擦除功能，以仅编程和擦除其状态将从其先前状态改变的该存储装置(30)。 | ||
| 申请公布号 | CN102708912B | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201210105258.9 | 申请日期 | 2006.05.26 |
| 申请人 | 斯班逊有限公司 | 发明人 | C·S·比尔;W·D·蔡 |
| 分类号 | G11C7/10(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种对电阻性存储装置(30)执行程序的方法，包括：经由位线(58)提供数据信息至数据寄存器(66)，其中，该数据寄存器(66)经由第一开关(74)连接至所述位线(58)，且该数据寄存器(66)中的数据信息指示存储装置(30)的期望状态；将来自该数据寄存器(66)的数据信息经由第二开关(70)提供至锁存器(68)，其中，该第二开关(70)连接该锁存器(68)与该数据寄存器(66)，该锁存器(68)经由第三开关(72)连接至该位线(58)；比较该锁存器(68)中的数据信息与该存储装置(30)中的数据信息；以及当该锁存器(68)中的数据信息与该存储装置(30)中的数据信息不同时，将来自该锁存器(68)的与将数据写入该存储装置(30)中相关的信息经由所述位线提供至写入驱动器(52)，该写入驱动器(52)将数据写入该存储装置(30)中。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||