MOS晶体管及其制作方法

摘要

一种MOS晶体管及其制作方法。所述制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅电极；在所述半导体衬底中形成源/漏区；在所述半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层的上表面与所述伪栅电极的上表面齐平；去除所述伪栅电极，形成第一通孔，在所述源区对应的第一介质层中形成第二通孔，在所述漏区对应的第一介质层中形成第三通孔；分别向所述第一通孔、第二通孔和第三通孔的侧壁和底部依次填充功函数金属层和填充金属层，形成金属栅极、第一接触栓塞和第二接触栓塞，所述金属栅极、第一接触栓塞和第二接触栓塞的上表面分别与所述第一介质层的上表面齐平。本发明可以使金属栅极的上表面不存在凹陷，比较平整。

主权项

一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅介质层，所述栅介质层的材料为高K介质材料；在所述半导体衬底上形成伪栅电极；在所述半导体衬底中形成源/漏区；在所述半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层的上表面与所述伪栅电极的上表面齐平；去除所述伪栅电极，形成第一通孔，在所述源区对应的第一介质层中形成第二通孔，在所述漏区对应的第一介质层中形成第三通孔；分别向所述第一通孔、第二通孔和第三通孔的侧壁和底部依次填充功函数金属层和填充金属层，形成金属栅极、第一接触栓塞和第二接触栓塞，所述金属栅极、第一接触栓塞和第二接触栓塞的上表面分别与所述第一介质层的上表面齐平，所述金属栅极、第一接触栓塞和第二接触栓塞包括的材料相同；其中，所述MOS晶体管为CMOS晶体管，包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述NMOS晶体管对应的金属栅极、第一接触栓塞和第二接触栓塞依次包括：氮化钛层、钛层和钨层，所述NMOS晶体管的功函数金属层包括氮化钛层和钛层，所述NMOS晶体管的填充金属层的材料包括钨；所述PMOS晶体管对应的金属栅极、第一接触栓塞和第二接触栓塞依次包括：氮化钛层和钨层，所述PMOS晶体管的功函数金属层包括氮化钛层，所述PMOS晶体管的填充金属层的材料包括钨。