具有穿孔接触的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及具有穿孔接触的半导体器件及其制造方法。根据一个实施例，形成半导体器件的方法包括：提供具有半导体衬底和介质区的晶圆，该半导体衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，介质区位于第一侧上；将晶圆的第一侧安装在载体系统上；从第二侧穿过半导体衬底至介质区蚀刻深度垂直沟槽，从而使台面区与其余的半导体衬底绝缘；以及用介质材料填充深度垂直沟槽。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；以及介质区，位于所述第一侧上；在所述第一侧上和所述介质区上形成与半导体台面区欧姆接触的接触层；在所述第一侧上和所述接触层上形成另一介质区；将所述晶圆的所述第一侧安装在载体系统上；从所述第二侧穿过所述半导体衬底至所述介质区蚀刻深度垂直沟槽，从而使半导体台面区与其余的半导体衬底绝缘；穿过所述半导体衬底至少接近所述另一介质区蚀刻分离沟槽；掩蔽所述分离沟槽；以及用介质材料填充所述深度垂直沟槽。