晶体管的形成方法、半导体器件的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法和半导体器件的形成方法。所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成多个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的上表面低于所述半导体衬底上表面且差值大于设定阈值，所述半导体衬底与所述浅沟槽隔离结构相邻的侧壁为倾斜表面；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖宽度方向的所述倾斜表面；以所述栅极结构为掩模，沿与半导体衬底上表面垂直的方向在所述栅极结构两侧的半导体衬底中进行轻掺杂离子注入，且沿与半导体衬底上表面的夹角为设定角度的方向在所述半导体衬底被栅极结构覆盖的倾斜表面中进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂区。本发明可以增大晶体管沟道区的有效宽度，提高器件性能。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成多个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的上表面低于所述半导体衬底上表面且差值大于设定阈值，所述半导体衬底与所述浅沟槽隔离结构相邻的侧壁为倾斜表面；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖宽度方向的所述倾斜表面；以所述栅极结构为掩模，沿与所述半导体衬底上表面垂直的方向在所述栅极结构两侧的半导体衬底中进行轻掺杂离子注入，且沿与所述半导体衬底上表面的夹角为设定角度的方向在所述半导体衬底被栅极结构覆盖的倾斜表面中进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂区；形成所述轻掺杂区之后，在所述栅极结构两侧形成侧墙；以所述侧墙和栅极结构为掩模，在侧墙两侧的半导体衬底中进行重掺杂离子注入，形成重掺杂区。