发明名称 |
半导体器件沾锡装置 |
摘要 |
本实用新型涉及一种半导体器件沾锡装置,包括底板,其特征是:在所述底板上安装上锡装置、拉料装置和挡料装置;所述上锡装置包括固定在底板上的固定座和助焊件,在助焊件上安装助焊轨道;在所述固定座上安装第一上锡座,第一上锡座上安装助焊气缸座,助焊气缸座上安装助焊气缸;在所述第一上锡座上设置第一滑块轨道和上锡轨道,在第一滑块轨道上设置滑块,滑块与第二上锡座连接。当料在助焊轨道上时,拉料装置利用气缸将料拉至上锡轨道,并用挡料装置将料限制在上锡轨道上,上锡装置完成对料的上锡。本实用新型能够减少人工上锡这一工序,实现自动化上锡,提高工作效率,降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN205085514U |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
CN201520820347.0 |
申请日期 |
2015.10.21 |
申请人 |
江阴亨德拉科技有限公司 |
发明人 |
陈伟;徐勇;叶建国;韩宙;程华胜;魏春阳 |
分类号 |
B23K3/06(2006.01)I;B23K101/40(2006.01)N |
主分类号 |
B23K3/06(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 |
代理人 |
曹祖良;刘海 |
主权项 |
一种半导体器件沾锡装置,包括底板(15),其特征是:在所述底板(15)上安装上锡装置、拉料装置和挡料装置;所述上锡装置包括固定在底板(15)上的固定座(25)和助焊件(9),在助焊件(9)上安装助焊轨道(18);在所述固定座(25)上安装第一上锡座(3),第一上锡座(3)上安装助焊气缸座(4),助焊气缸座(4)上安装助焊气缸(5);在所述第一上锡座(3)上设置第一滑块轨道(7)和上锡轨道(21),在第一滑块轨道(7)上设置滑块,滑块与第二上锡座(20)连接。 |
地址 |
214432 江苏省无锡市江阴市澄江街道皮弄村花东路188号 |