发明名称 半导体发光装置
摘要 明提供一种包含层合半导体结构的半导体发光装置,所述层合半导体结构具有彼此相对的第一表面及第二表面、分别形成第一表面及第二表面的第一导电型半导体层及第二导电型半导体层以及主动层。第一电极及第二电极分别安置于层合半导体结构的第一表面及层合半导体结构的第二表面上。连接电极延伸至第一表面,以连接至第二电极。支撑基板安置于第二电极上,且绝缘层使连接电极与主动层及第一导电型半导体层绝缘。
申请公布号 TW201611357 申请公布日期 2016.03.16
申请号 TW104128742 申请日期 2015.09.01
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 崔繁在;朴永洙;柳荣浩;朴泰荣;洪鎭基
分类号 H01L33/62(2010.01) 主分类号 H01L33/62(2010.01)
代理机构 代理人 叶璟宗;郑婷文;詹富闵
主权项 一种半导体发光装置,包括: 层合半导体结构,所述层合半导体结构包含彼此相对的第一表面及第二表面、分别形成所述第一表面及所述第二表面的第一导电型半导体层及第二导电型半导体层以及安置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的主动层; 第一电极,所述第一电极安置于所述层合半导体结构的所述第一表面上且连接至所述第一导电型半导体层; 第二电极,所述第二电极安置于所述层合半导体结构的所述第二表面的大部分上且连接至所述第二导电型半导体层; 连接电极,所述连接电极连接至所述第二电极且延伸至所述层合半导体结构的所述第一表面; 支撑基板,所述支撑基板安置于所述第二电极上;以及 绝缘层,所述绝缘层经安置以使所述连接电极与所述主动层及所述第一导电型半导体层绝缘。
地址 南韩