| 发明名称 |
封装体叠加堆叠式微电子结构 |
| 摘要 |
封装体叠加堆叠式微电子结构包含一对以倒装结构方式彼此连接的微电子封装体。在一个实施例中，该封装体叠加堆叠式微电子结构可以包含一第一和一第二微电子封装体，各包含一具有至少一个形成于每一微电子封装体基体之第一表面上之封装体连接焊垫的基体，且各具有至少一个电气连接到每一微电子封装体基体第一表面的微电子装置，其中，该第一和第二微电子封装体是以至少一个延伸在该第一微电子封装体连接焊垫与该第二微电子封装体连接焊垫之间的封装体-对-封装体互连结构来彼此连接。
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| 申请公布号 |
TW201611221 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
| 申请号 |
TW104118154 |
申请日期 |
2015.06.04 |
| 申请人 |
英特尔ＩＰ公司 |
发明人 |
梅耶尔 特罗斯登;欧弗纳 吉拉德 |
| 分类号 |
H01L23/495(2006.01);H01L23/492(2006.01);H01L21/58(2006.01);G06F1/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/495(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
| 主权项 |
一种封装体叠加堆叠式微电子结构，包含：一第一微电子封装体，包含一具有一第一表面与至少一个形成于该微电子封装体基体第一表面上之封装体连接焊垫的基体，且具有至少一个电气连接到该微电子封装体基体第一表面的微电子装置；一第二微电子封装体，包含一具有一第一表面与至少一个形成于该每一微电子封装体基体第一表面上之封装体连接焊垫的基体，且具有至少一个电气连接到该微电子封装体基体第一表面的微电子装置；及至少一个延伸在该第一微电子封装体连接焊垫与该第二微电子封装体连接焊垫之间的封装体-对-封装体互连结构。
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| 地址 |
美国 |
