CVD PRECURSORS

摘要

비스아미노실라시클로부탄, 및 질소 공급 가스, 산소 공급 가스 및 이들의 혼합물로부터 선택된 공급 가스를 포함하는 반응성 가스 혼합물의 열 중합에 의해 규소 함유 박막을 생성시키는 방법이 기술된다. 증착된 막은, 질화규소, 실리콘 카보니트라이드, 이산화규소 또는 탄소 도핑된 이산화규소일 수 있다. 이들 막은 반도체 장치에서 유전체, 패시베이션 코팅, 배리어 코팅, 스페이서, 라이너 및/또는 스트레서(stressor)로 유용하다.