3 THREE-DIMENSIONAL RESISTIVE MEMORY ARRAY

摘要

3차 저항 메모리 어레이의 제조방법이 개시된다. 이 방법은 상기 복수의 층의 스택(102)은 반복적인 시퀀스(102)를 포함하고, 각 시퀀스(102)는 분리층(104), 반도체층(106), 게이트 절연층(108) 및 전도층(110)을 포함한다. 반복 시퀀스(102)에 대해 복수의 처리 단계를 실시함으로써, 3차 저항 메모리 어레이가 얻어진다. 3차 저항 메모리 어레이가 개시된다.