| 摘要 |
본 발명은, 적은 이온 주입 회수로, 충분한 내압을 실현할 수 있는 탄화 규소 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 탄화 규소 기판(10) 위에 형성된 탄화 규소 드리프트층(1)과, 탄화 규소 드리프트층(1) 표면층에 형성된 P형 영역(2)과, P형 영역(2)의 형성 개소에 따라 탄화 규소 드리프트층(1) 위에 형성된 쇼트키 전극(3)을 구비한다. 그리고, P형 영역(2)이, P형 불순물의 분포의 반복 단위인 유닛 셀(20)이 복수 배열됨으로써 형성된다. 또한, 각 유닛 셀(20)이, 제1농도로 P형 불순물이 분포되는 제1분포 영역(20A)과, 제1농도보다 높은 제2농도로 P형 불순물이 분포되는 제2분포 영역(20B)을 적어도 갖는다. |
