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반도체 소자 및 그 제조 방법에서, 반도체 소자는 기판 상에 형성되고, 상기 기판의 제1 영역에는 제1 폴리실리콘 패턴, 상기 제1 폴리실리콘 패턴보다 낮은 저항을 갖는 제1 도전 패턴 및 제1 마스크 패턴이 적층된 제1 도전성 구조물들이 구비된다. 상기 기판의 제2 영역에는, 제2 폴리실리콘 패턴, 제1 도전 패턴과 다른 두께를 갖는 제2 도전 패턴 및 제2 마스크 패턴이 적층되고, 상기 제1 도전성 구조물과 동일한 전체 두께를 갖는 제2 도전성 구조물들이 구비된다. 상기 반도체 소자는 동일한 전체 두께를 가지면서 각 도전 패턴들의 두께가 서로 다른 도전성 구조물들이 포함됨으로써, 저저항 및 빠른 동작 속도를 갖는다. |
