| 摘要 |
반도체 LED 층들은 사파이어 기판(10)의 패터닝된 표면 상에 에피텍셜 방식으로 성장한다. 패터닝된 표면은 광 추출을 개선시킨다. LED 층들은 p-타입 층 및 n-타입 층을 포함한다. LED 층들은 에칭되어 n-타입 층을 노출시킨다. 하나 이상의 제1 금속 층들은 패터닝되어 p-타입 층 및 n-타입 층에 전기적으로 접촉하여 p-금속 컨택(32) 및 n-금속 컨택(33)을 형성한다. 유전체 폴리머 스트레스-버퍼 층(36)은 제1 금속 층들 위에 스핀-코팅되어 제1 금속 층들 위에 실질적으로 평면 표면을 형성한다. 스트레스-버퍼 층은 p-금속 컨택 및 n-금속 컨택을 노출시키는 개구들을 가진다. 금속 땜납 패드들(44, 45)은 스트레스-버퍼 층 위에 형성되고, 스트레스-버퍼 층 내의 개구들을 통해 p-금속 컨택 및 n-금속 컨택에 전기적으로 접촉한다. 스트레스-버퍼 층은 땜납 패드들 및 기반 층들의 CTE들에서의 차이들을 수용하기 위한 버퍼로서 작용한다. |
