| 摘要 |
실시예들에서, 초기 레이저 스크라이브 및 후속 플라즈마 에칭을 수반하는 하이브리드 웨이퍼 또는 기판 다이싱 프로세스가 다이 싱귤레이션을 위해 구현된다. 레이저 스크라이브 프로세스는 마스크 층, 유기 및 무기 유전체 층들 및 디바이스 층들을 청결하게 제거하기 위해 이용될 수 있다. 다음으로, 웨이퍼 또는 기판의 노출 또는 부분적 에칭 시에 레이저 에칭 프로세스가 종료될 수 있다. 실시예들에서, 웨이퍼들을 다이싱하기 위해 하이브리드 플라즈마 에칭 접근법이 이용되고, 여기서 NF과 CF의 조합에 기초한 플라즈마를 이용하여, 이방성 에칭에 후속하여 다이 측벽을 개선하기 위해 등방성 에칭이 이용된다. 등방성 에칭은 다이 싱귤레이션 이후에 이방성 에칭된 다이 측벽들로부터 이방성 에칭 부산물, 거칠기 및/또는 스캘러핑을 제거한다. |
