| 发明名称 |
配线构造、薄膜电晶体基板及其制造方法以及显示装置 |
| 摘要 |
可以省略纯铜或铜合金之铜系合金配线与半导体层之间之障壁金属层之直接接触技术，且系具有宽广的制程裕度(process margin)之范围，可以对半导体层直接而且确实地连接铜系合金配线之技术。本发明系关于在基板上，由基板侧依序具备半导体层，与纯铜或铜合金之铜系合金膜之配线构造，其系于前述半导体层与前述铜系合金膜之间，包含有由基板侧起依序为含有氮、碳以及氟所构成的群所选择之至少一种元素之(N、C、F)层，及包含铜与矽之铜-矽扩散层之层积构造，且被包含于前述(N、C、F)层的氮、碳及氟之至少一种之元素，与包含于前述半导体层之矽结合。 |
| 申请公布号 |
TWI525773 |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
| 申请号 |
TW098122648 |
申请日期 |
2009.07.03 |
| 申请人 |
神户制钢所股份有限公司 |
发明人 |
川上信之;福间信也;三木绫;越智元隆;森田晋也;横田嘉宏;后藤裕史 |
| 分类号 |
H01L23/52(2006.01);H01L21/786(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种配线构造，系于基板上，由基板侧依序具备半导体层，与纯铜或铜合金之铜系合金膜之配线构造，其特征为：于前述半导体层与前述铜系合金膜之间，包含有由基板侧起依序为含有氮化矽之障壁层，及包含铜与矽之铜-矽扩散层之层积构造，且前述障壁层与前述铜-矽扩散层直接接触；进而前述铜-矽扩散层与前述铜系合金膜直接接触。
|
| 地址 |
日本 |
