| 发明名称 |
用于癒合半导体层中的缺陷之方法 |
| 摘要 |
明系关于癒合与将原子物质植入转移至受体基板(2)上之半导体层(10)中相关的缺陷之方法，该半导体层(10)藉由导热性低于该转移半导体层(10)之该导热性的层(3、3')而与该受体基板(2)热绝缘，该方法之特征在于其包含向该半导体层(10)施加选择性电磁辐照，该电磁辐照经实施以便将该半导体层(10)加热至低于该层(10)之融合温度之温度，而不致使该受体基板(2)之温度增加超过500℃。
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| 申请公布号 |
TWI525667 |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
| 申请号 |
TW101126848 |
申请日期 |
2012.07.25 |
| 申请人 |
梭意泰科公司 |
发明人 |
朗度 伊欧纳特;果铎 克里斯多夫;梵媞苏 克莉丝朵 |
| 分类号 |
H01L21/265(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种癒合与将原子物质植入转移至受体基板上之半导体层中相关的缺陷之方法，该半导体层包含矽及系藉由具有导热性低于该半导体层之低导热性层而与该受体基板热绝缘，其中该方法包含：向该半导体层施加选择性电磁辐照，以便将该层加热至低于该半导体层之融合温度之温度，以癒合缺陷而不致使该半导体层熔融及该受体基板之温度增加超过500℃，其中该选择性电磁辐照系脉冲雷射辐照，该脉冲雷射辐照具有经选择之能量密度及持续时间之脉冲，使得仅该半导体层吸收该辐照，该等脉冲之能量及持续时间系经选择以便将该半导体层加热至介于800℃与1300℃之间之范围内之温度，及两个脉冲间之时间间隔系经选择为长于较在该半导体层中扩散热所需之时间。
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| 地址 |
法国 |
