| 发明名称 |
镀钼电解质及形成含钼镀层方法 |
| 摘要 |
镀钼电解质以及使用此镀钼电解质的形成含钼镀层方法。镀钼电解质包含0.01莫耳百分比至1莫耳百分比的五氯化钼(MoCl5)、0.01莫耳百分比至25莫耳百分比的氯化锌(ZnCl2)以及剩余量的二甲基碸(C2H6O2S)。藉此，可有效降电解沉积所需的温度，进而节省能源。此外，可提升操作上之便利性、避免高温腐蚀以及基材受热变形或损坏。
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| 申请公布号 |
TWI525225 |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
| 申请号 |
TW102141462 |
申请日期 |
2013.11.14 |
| 申请人 |
国立云林科技大学 |
发明人 |
杨肇政;江亚承 |
| 分类号 |
C25D3/54(2006.01);C01G39/04(2006.01);C01G9/04(2006.01);C07C317/04(2006.01);C25D5/00(2006.01) |
主分类号 |
C25D3/54(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
| 主权项 |
一种镀钼电解质，排除含氟盐类，该镀钼电解质包含：0.01莫耳百分比的五氯化钼(MoCl5)；10莫耳百分比至20莫耳百分比的氯化锌(ZnCl2)；以及剩余量的二甲基碸(C2H6O2S)。
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| 地址 |
云林县斗六市大学路3段123号 |
