积体电路及制造具有金属闸极电极之积体电路之方法

摘要

的是积体电路及用于制造积体电路的方法。在示例性实施例中，用于制造积体电路的方法包括在半导体基板上方提供牺牲闸极结构，该牺牲闸极结构包括两间隔件及介于该两间隔件之间的牺牲闸极材料；使介于该两间隔件之间的该牺牲闸极材料的一部分形成凹部；蚀刻该两间隔件的上方区域并使用该牺牲闸极材料当作遮罩；移除该牺牲闸极材料的留存部位并暴露该两间隔件的下方区域；在该两间隔件的下方区域之间沉积第一金属；以及在该两间隔件的下方区域之间沉积第二金属。

主权项

一种用于制造积体电路的方法，该方法包含：在半导体基板上方设置牺牲闸极结构，其中，该牺牲闸极结构包括两间隔件及介于该两间隔件之间的牺牲闸极材料；使介于该两间隔件之间的该牺牲闸极材料的一部分形成凹部；蚀刻该两间隔件的上方区域并使用该牺牲闸极材料当作遮罩；移除该牺牲闸极材料的留存部位并暴露该两间隔件的下方区域；在该两间隔件的该等下方区域之间沉积第一金属；以及在该两间隔件的该等上方区域之间沉积第二金属，其中，该两间隔件系两第一间隔件，以及其中，该方法复包含在沉积该第一金属后，于毗邻该两第一间隔件的该等上方区域形成多个第二间隔件。