经配置以可自我参考读取操作之磁性随机存取记忆体装置

摘要

明揭示一种磁性随机存取记忆体单元，该磁性随机存取记忆体单元包含：一感测层；一储存层；及一分隔层，其安置在该感测层与该储存层之间。在一写入操作期间，该储存层具有可在m个方向之间切换以储存对应于m个逻辑状态之一者之资料之一磁化方向，m>2。在一读取操作期间，该感测层具有相对于该储存层之该磁化方向改变以判定由该储存层储存的该资料之一磁化方向。

主权项

一种记忆体装置，其包括：至少一磁性随机存取记忆体(MRAM)单元，其包含：一感测层；一储存层；及一分隔层，其安置在该感测层与该储存层之间，其中在一写入操作期间，该储存层具有可在m个方向之间切换以储存对应于m个逻辑状态之一者之资料之一磁化方向，m>2，其中在一读取操作期间，该感测层具有相对于该储存层之该磁化方向改变以判定由该储存层储存的该资料之一磁化方向，其中该MRAM单元进一步包含一钉紮层，该钉紮层相邻于该储存层，且该钉紮层经组态以相对于一临限温度而稳定化该储存层之该磁化方向。