| 发明名称 |
导电膜形成用银合金溅镀靶及其制造方法 |
| 摘要 |
明之目的在于伴随着靶材的大型化，提供即使对靶材投入大电力也可以抑制飞溅(splash)，同时耐蚀性及耐热性优异，可以形成低电阻的膜之导电模型成用银合金溅镀靶及其制造方法。本发明之导电膜形成用银合金溅镀靶，系以具有镓、锡之中的1种或2种合计含有0.1~1.5质量%(质量%)，进而含有铟0.1~1.5质量%，其余部分为银以及不可避免的不纯物所构成的成分组成的银合金，或者是具有进而含有铟0.1~1.5质量%的成分组成的银合金所构成，银合金的结晶粒的平均粒径为120~400μm，或者在含有铟的场合为120~250μm，结晶粒的粒径的离散度，为平均粒径的20%以下。
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| 申请公布号 |
TWI525203 |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
| 申请号 |
TW101111880 |
申请日期 |
2012.04.03 |
| 申请人 |
三菱综合材料股份有限公司 |
发明人 |
野中庄平;小见山昌三 |
| 分类号 |
C22C5/06(2006.01);C22C1/00(2006.01);C23C14/34(2006.01);H01L51/50(2006.01) |
主分类号 |
C22C5/06(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种导电膜形成用银合金溅镀靶，其特征为：以具有镓、锡之中的1种或2种合计含有0.1~1.5质量%(质量%)，其余部分为银以及不可避免的不纯物所构成的成分组成的银合金所构成，前述银合金的结晶粒的平均粒径为120~400μm，前述结晶粒的粒径的离散度，为平均粒径的20%以下。
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| 地址 |
日本 |
