光电二极体阵列、基准电压决定方法及推荐动作电压决定方法

摘要

明系对光电二极体阵列施加反向偏压电压，该光电二极体阵列包含：复数个崩溃光电二极体，该等以盖格模式动作；及淬灭电阻，其相对于各崩溃光电二极体而串列连接。使施加之反向偏压电压变化并测定电流，而决定所测定之电流之变化中之反曲点之反向偏压电压作为基准电压。决定对所决定之基准电压加上特定值而得之电压作为推荐动作电压。

主权项

一种基准电压决定方法，其系决定用以决定施加于光电二极体阵列之反向偏压电压之推荐动作电压之基准电压者，该光电二极体阵列包含：复数个崩溃光电二极体，其等以盖格模式动作；及淬灭电阻，其相对于各个上述崩溃光电二极体而串列连接；且使施加于上述光电二极体阵列之反向偏压电压变化并测定电流，而决定所测定之电流之变化中之反曲点之反向偏压电压作为上述基准电压，该反曲点系藉由上述复数个崩溃光电二极体中最多之崩溃光电二极体转移至盖格模式而产生者。