发明名称 |
光化学反应系统 |
摘要 |
一实施形态,光化学反应系统,具备:产生CO2的CO2产生手段、吸收藉由前述CO2产生手段产生的CO2之CO2吸收手段、以及CO2还原手段,其系具备具有氧化H2O产生O2与H+的氧化触媒层与还原被前述CO2吸收手段吸收的CO2而产生碳化合物的还原触媒层以及被形成于前述氧化触媒层与前述还原触媒层之间,藉由光能电荷分离的半导体层之层积体、及在前述氧化触媒层侧与前述还原触媒层侧之间使离子移动的离子移动路径。
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申请公布号 |
TWI524935 |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
申请号 |
TW102141672 |
申请日期 |
2013.11.15 |
申请人 |
东芝股份有限公司 |
发明人 |
小野昭彦;御子柴智;工藤由纪;田村淳;北川良太;黄静君 |
分类号 |
B01J19/12(2006.01);C25B9/00(2006.01);H01L31/042(2014.01) |
主分类号 |
B01J19/12(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种光化学反应系统,其特征为具备:产生CO2的CO2产生手段、吸收藉由前述CO2产生手段产生的CO2之CO2吸收手段、以及CO2还原手段,其系具备具有氧化H2O产生O2与H+的氧化触媒层与还原被前述CO2吸收手段吸收的CO2而产生碳化合物的还原触媒层以及被形成于前述氧化触媒层与前述还原触媒层之间,藉由光能而电荷分离使产生起电力的半导体层的层积体、以及在前述氧化触媒层侧与前述还原触媒层侧之间使离子移动的离子移动路径;前述半导体层,具备第1导电型的第1半导体层,与被形成于前述第1半导体层上的与前述第1导电型不同的第2导电型之第2半导体层。
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地址 |
日本 |