半导体装置及其制造方法

摘要

明是使具备沟槽构造的纵型MOS电晶体的驱动能力提升。

主权项

一种半导体装置，系具有：第1导电型半导体基板；第1导电型磊晶成长层，其系于上述第1导电型半导体基板上隔着第2导电型埋入层来设置，第1导电型阱扩散层，其系形成于上述第2导电型埋入层上的上述第1导电型磊晶成长层的一部分；槽沟，其系形成从上述第1导电型阱扩散层的表面到达上述第2导电型埋入层的深度之最外廓形成矩形，内部为格子状或条纹状的互相连结者；闸极绝缘膜，其系形成于上述槽沟的表面；由多结晶矽膜所构成的第1闸极电极，其系隔着上述闸极绝缘膜来充填上述槽沟；第1之第2导电型源极高浓度扩散层及第1导电型基板电位扩散层，其系形成于不是第1导电型阱扩散层的上述槽沟的岛状区域的表面的上部；第2闸极电极，其系沿着上述形成矩形的槽沟的一边来从上述第1闸极电极延伸至上述槽沟之外；接触孔，其系配置于上述第2闸极电极上；阶差部，其系于上述第1导电型阱扩散层的表面，沿着上述第2闸极电极而设，由比周围平面低的面、及设在上述低的面与上述第2闸极电极之间的倾斜面所构成；及第2之第2导电型源极高浓度扩散层，其系设成从上述阶差部通过上述第2闸极电极之下到达上述槽沟。