| 发明名称 |
半导体装置和其制造方法 |
| 摘要 |
明关于一种有关半导体装置的电极或具有接合制程的半导体装置的制造方法，本发明要解决的问题是(1)由于使用Al电极而使半导体装置具有高电阻；(2)Al与Si会形成合金；(3)利用溅射法形成的膜具有高电阻；(4)在接合制程中，若接合面的凹凸较大则发生接合不良。本发明的一种实施例是一种半导体装置，包括：金属基板或形成有金属膜的基板；利用热压合法与金属基板或金属膜接合的金属基板或金属膜上的铜(Cu)镀膜；Cu镀膜上的障壁膜；障壁膜上的单晶矽膜；单晶矽膜上的电极层。 |
| 申请公布号 |
TWI525845 |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
| 申请号 |
TW099113607 |
申请日期 |
2010.04.29 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
藤井照幸;大岛浩平;丸山纯矢;下村明久 |
| 分类号 |
H01L31/042(2014.01);H01L31/0224(2006.01);H01L31/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/042(2014.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种太阳能电池，包含：绝缘基板；在该绝缘基板上方且与该绝缘基板直接接触的金属膜；在该金属膜上方且与该金属膜直接接触的铜(Cu)镀膜；在该Cu镀膜上方且与该Cu镀膜直接接触的晶种膜；在该晶种膜上方且与该晶种膜直接接触的障壁膜；在该障壁膜上方且与该障壁膜直接接触的光电转换层；在该光电转换层上方的电极层；在该金属膜上方且与该金属膜直接接触的第一布线，该第一布线不与该Cu镀膜重叠；以及在该电极层上方且与该电极层直接接触的第二布线，其中，该Cu镀膜藉由该晶种膜的成长而形成，其中，该电极层由透明导电材料形成，其中，该障壁膜是钛(Ti)膜、氮化钽膜、钽(Ta)膜和钨(W)膜中的其中一者，且其中，该光电转换层是单晶矽膜，其中该单晶矽膜的厚度为50nm以上及200nm以下。
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| 地址 |
日本 |
