记忆体装置、记忆体模组及电子装置

摘要

明系有关记忆体装置、记忆体模组及电子装置。第一电晶体包括作为源极和汲极的第一和第二电极，以及与第一通道形成区重叠的第一闸极电极，在第一通道形成区与第一闸极电极之间设置绝缘膜。第二电晶体包括作为源极和汲极的第三和第四电极，以及第二通道形成区，该第二通道形成区系设置在第二闸极电极与第三闸极电极之间，且在该第二通道形成区与该第二闸极电极之间以及在该第二通道形成区与该第三闸极电极之间系设置有绝缘膜。所述第一和第二通道形成区包含氧化物半导体，且所述第二电极系连接至所述第二闸极电极。

主权项

一种记忆体装置，包括：记忆体单元，其包括第一电晶体、第二电晶体和第一绝缘膜，其中，该第一电晶体包括：第一氧化物半导体层，其包括第一通道形成区；连接至该第一氧化物半导体层的第一电极；连接至该第一氧化物半导体层的第二电极；与该第一通道形成区重叠的第一闸极电极；和插置于该第一闸极电极与该第一氧化物半导体层之间的第二绝缘膜，其中，该第二电晶体包括：第二闸极电极；在该第二闸极电极之上的第三绝缘膜；第二氧化物半导体层，其包括在该第三绝缘膜之上的第二通道形成区；连接至该第二氧化物半导体层的第三电极；连接至该第二氧化物半导体层的第四电极；在该第二氧化物半导体层、该第三电极和该第四电极之上的第四绝缘膜；和在该第四绝缘膜之上的第三闸极电极，其中，该第二闸极电极、该第三闸极电极和该第二通道形成区互相重叠，其中，该第一氧化物半导体层系位于该第三闸极电极
上方，且其中，该第一氧化物半导体层系位于该第一绝缘膜上方，而该第二氧化物半导体层系位于该第一绝缘膜下方。