ＤＣ-ＤＣ转换器用半导体装置

摘要

明提高半导体装置之电源电压之转换效率。本发明之非绝缘型DC-DC转换器系具有高侧开关用之功率MOSFET及低侧开关用之功率MOSFET串联地连接之电路者；而于同一半导体晶片5b内形成：低侧开关用之功率MOSFET，及并联地连接于该低侧开关用之功率MOSFET之萧特基障壁二极体D1。萧特基障壁二极体D1之形成区域SDR配置于半导体晶片5b之短方向之，于其两侧配置低侧之功率MOSFET之形成区域。而且从半导体晶片5b之主面之两长边附近之闸极指叉6a，朝向之萧特基障壁二极体D1之形成区域SDR，以夹入该形成区域SDR之方式，延伸配置复数条闸极指叉6b。

主权项

一种DC-DC转换器用半导体装置，其系形成于一个封装者，且包括：第一、第二及第三外部端子；第一半导体晶片，其系形成于前述第一外部端子之上部，且电性连接于前述第一外部端子；第二半导体晶片，其系形成于前述第二外部端子之上部，且电性连接于前述第二外部端子；及驱动器晶片，其控制前述第一及第二半导体晶片；且于前述第一半导体晶片之主面形成有闸极端子、源极端子；于前述第一半导体晶片之背面形成有汲极端子；于前述第二半导体晶片之主面形成有闸极端子、源极端子；于前述第二半导体晶片之背面形成有汲极端子；前述驱动器晶片包括第一端子及第二端子，该第一端子与前述第一半导体晶片之闸极端子藉由导体部件电性连接，且前述驱动器晶片之第二端子与前述第二半导体晶片之闸极端子藉由导体部件电性连接；前述第一半导体晶片之主面之源极端子与前述第二外部端子藉由复数之导线电性连接；前述第二半导体晶片之主面之源极端子与前述第三外部端子藉由复数之导线电性连接。