发明名称 |
用于无载体薄晶圆处理之方法及结构 |
摘要 |
为一种形成一微电子组件之方法以及该产生之结构与装置。在一个实施例中,形成一微电子组件之一方法系包括移除显露在一基板之一表面之部份区域之材料,藉以形成一经处理基板,该经处理基板系具被该经处理基板之整体支撑部分隔之复数个薄部,该经处理基板系具一厚度,该厚度系大于该薄部之一厚度,该薄部中至少若干个系包括显露在该表面上并沿着该薄部之该厚度之一方向延伸之复数个导电互连;以及移除该基板之该支撑部,藉以将该基板分割成复数个独立薄部,至少若干个独立薄部系包括该互连。
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申请公布号 |
TWI525717 |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
申请号 |
TW102147052 |
申请日期 |
2013.12.18 |
申请人 |
英凡萨斯公司 |
发明人 |
乌若 席普伦 亚梅卡;蒙纳吉米 培兹曼;纽曼 麦可;渥奇克 查尔斯G;卡斯基 泰伦斯 |
分类号 |
H01L21/50(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
张煌壠 |
主权项 |
一种形成微电子组件之方法,包含:移除一基板之一表面之部份被显露之材料,以形成一经处理基板,该经处理基板之复数个薄部系藉由该经处理基板之整体支撑部分隔开来,每一整体支撑部分具有一宽度及一第一厚度,该第一厚度延着该整个宽度延伸,其中该第一厚度系大于该等薄部之一厚度,至少一些之该等薄部各自包含复数导电互连,该复数导电互连系以该等薄部之该等厚度之一方向延伸,并且显露于该表面;以及全部移除该基板之该等整体支撑部,藉以分割该基板成复数个独立薄部,每一独立薄部之一厚度系小于该第一厚度,至少一些独立薄部包含该等导电互连。
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地址 |
美国 |