发明名称 |
NIOBIUM AND VANADIUM ORGANOMETALLIC PRECURSORS FOR THIN FILM DEPOSITION |
摘要 |
본 발명은 하기 화학식 I, 즉 Cp(R)M(NR)(=NR)의 화합물을 제공한다. <화학식 I>상기 식에서, M은 독립적으로 바나듐 (V) 또는 니오븀 (Nb)으로부터 선택된 금속이고; m ≤ 5; R은 각각 독립적으로 H, 1 내지 6개의 탄소 원자를 포함하는 선형 또는 분지형 히드로카르빌 라디칼로 이루어진 군에서 선택된 유기 리간드이고; R는 각각 독립적으로 H, 1 내지 6개의 탄소 원자를 포함하는 선형 또는 분지형 히드로카르빌 라디칼로 이루어진 군에서 선택된 유기 리간드이고; R은 H, 1 내지 6개의 탄소 원자를 포함하는 선형 또는 분지형 히드로카르빌 라디칼로 이루어진 군에서 선택된 유기 리간드이다. |
申请公布号 |
KR101602984(B1) |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
申请号 |
KR20117007923 |
申请日期 |
2009.10.06 |
申请人 |
레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 |
发明人 |
블라스코 니콜라스;코레이아-아나클레토 안토니;핀차르트 아우드레이;자우너 안드레아스 |
分类号 |
C07F9/00;C23C16/18;C23C16/44;H01L21/20 |
主分类号 |
C07F9/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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