发明名称 NIOBIUM AND VANADIUM ORGANOMETALLIC PRECURSORS FOR THIN FILM DEPOSITION
摘要 본 발명은 하기 화학식 I, 즉 Cp(R)M(NR)(=NR)의 화합물을 제공한다. <화학식 I>상기 식에서, M은 독립적으로 바나듐 (V) 또는 니오븀 (Nb)으로부터 선택된 금속이고; m ≤ 5; R은 각각 독립적으로 H, 1 내지 6개의 탄소 원자를 포함하는 선형 또는 분지형 히드로카르빌 라디칼로 이루어진 군에서 선택된 유기 리간드이고; R는 각각 독립적으로 H, 1 내지 6개의 탄소 원자를 포함하는 선형 또는 분지형 히드로카르빌 라디칼로 이루어진 군에서 선택된 유기 리간드이고; R은 H, 1 내지 6개의 탄소 원자를 포함하는 선형 또는 분지형 히드로카르빌 라디칼로 이루어진 군에서 선택된 유기 리간드이다.
申请公布号 KR101602984(B1) 申请公布日期 2016.03.11
申请号 KR20117007923 申请日期 2009.10.06
申请人 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 发明人 블라스코 니콜라스;코레이아-아나클레토 안토니;핀차르트 아우드레이;자우너 안드레아스
分类号 C07F9/00;C23C16/18;C23C16/44;H01L21/20 主分类号 C07F9/00
代理机构 代理人
主权项
地址