发明名称 WAFER PROCESSING METHOD
摘要 본 발명은, 디바이스 영역의 이면에 오목부를 형성하고 그 주위에 링 형상 보강부를 형성하여 이면에 금속막을 피복한 웨이퍼를 각각의 디바이스로 분할하는 데 있어서, 웨이퍼 표면의 디바이스 영역의 이면에 피복된 금속막을 손상시키지 않고 웨이퍼를 효율적으로 각각의 디바이스로 분할할 수 있도록 한다. 디바이스 영역과 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역이 표면에 형성된 웨이퍼를 각각의 디바이스로 분할하는 가공 방법에 관한 것으로서, 웨이퍼(W)의 표면에 보호 테이프(1)를 접착시켜 보호 테이프(1)측을 유지한 상태로 웨이퍼(W)의 이면 중 디바이스 영역의 이면을 연삭하여 오목부(W3)를 형성하고, 오목부(W3)의 외주측에 링 형상 보강부(W4)를 형성하는 웨이퍼 연삭 공정과, 표면에 보호 테이프(1)가 접착된 웨이퍼(W)의 이면에 금속막(4)을 피복하는 금속막 피복 공정과, 표면에 보호 테이프(1)가 접착된 웨이퍼(W)의 이면측으로부터 분할 예정 라인을 분할하여 각각의 디바이스로 분할하는 웨이퍼 분할 공정을 적어도 포함한다.
申请公布号 KR101602967(B1) 申请公布日期 2016.03.11
申请号 KR20100026764 申请日期 2010.03.25
申请人 가부시기가이샤 디스코 发明人 프리바서 칼
分类号 H01L21/304;H01L21/78 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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