| 摘要 |
전자선, X선 또는 EUV용 포지티브 레지스트 조성물 및 상기 포지티브 레지스트 조성물을 사용한 패턴형성방법은, (A) 산의 작용하에 분해되어 알칼리 수용액에서 용해 속도를 증대할 수 있는 수지; (B) 활성 광선 또는 방사선에 의한 조사시 산을 발생할 수 있는 화합물; (C) 염기성 화합물; 및 (D) 유기 용제를 함유하는 포지티브 레지스트 조성물로서: 상기 레지스트 조성물에 있어서의 전체 고형분 농도가 1.0~4.5질량%이고, 전체 고형분에 대하여 상기 (B) 활성 광선 또는 방사선에 의한 조사시 산을 발생할 수 있는 화합물의 비율이 10~50질량%이다. |
