发明名称 |
操作积体电路的方法、操作包括记忆体的积体电路的方法及用于记忆体电路的读取和写入边际评估的电路 |
摘要 |
明涉及量化记忆体位元单元的读取和写入边际。其中,一种包括一个或多个记忆体位元单元的积体电路包括用于相对彼此改变施加给位元单元的供电轨的电压和施加给字元线驱动器的电压以有利于对读取和写入边际进行改进的筛选的电路。在正常操作中,字元线驱动器以及位元单元的供电轨标称地相同。在写入边际测试模式下,字元线驱动器供电轨上的电压小于位元单元供电轨上的电压。在读取边际测试模式下,字元线驱动器供电轨上的电压大于位元单元供电轨上的电压。
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申请公布号 |
TWI525620 |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
申请号 |
TW101132781 |
申请日期 |
2012.09.07 |
申请人 |
美国博通公司 |
发明人 |
包尔 梅让;孟瑞尔 卡尔;章逸斐 |
分类号 |
G11C11/412(2006.01);G11C11/419(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/412(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
庄志强 |
主权项 |
一种操作积体电路的方法,所述积体电路具有周边电路并具有包括多个位元单元和与所述多个位元单元耦接的至少一个字元线的记忆体阵列,所述方法包括:在标称电压下操作所述周边电路;在正常的记忆体异动期间,在标称电压下操作所述多个位元单元和所述字元线;在读取边际测试操作期间,在大于所述多个位元单元的工作电压的电压下操作字元线驱动器;以及在写入边际测试操作期间,在小于所述多个位元单元的工作电压的电压下操作所述字元线驱动器。
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地址 |
美国 |