空白罩幕和光罩

摘要

明提供具有半节距为32奈米或小于32奈米(尤其半节距为22奈米或小于22奈米)的高解析度图案的光罩，其通过形成空白罩幕来制造，在所述空白罩幕中，在透明基底上形成不透光膜和相对于所述不透光膜厚度较小并且蚀刻选择性较高的硬膜。光罩可以通过调节构成不透光膜的金属、矽以及少量元素的组成比率而具有较高品质，以抑制在电子束修复制程期间二氟化氙气体对图案的破坏。

主权项

一种空白罩幕，所述空白罩幕包括在透明基底上形成的不透光膜以及硬膜，其中在形成图案之后的修复制程中，所述不透光膜被所注入气体破坏的程度以0到0.5的各向异性比率形式数字化，其中所述各向异性比率是所述图案的横向破坏与蚀刻深度的比率，其中所述硬膜的厚度是2奈米到5奈米。