发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
明的目的是要减少半导体装置的制造步骤的数量、改善半导体装置的良率、或降低半导体装置的制造成本。本发明的一个实施例系有关于一种半导体装置及一种用来制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括在一基材上的一第一电晶体其具有一在一通道形成区内的单晶半导体层,一第二电晶体其被一设置在它与该第一电晶体之间的绝缘层与该第一电晶体隔绝开且具有一在通道形成区内的氧化物半导体层,及二极体其具有一单晶半导体层及氧化物半导体层。 |
申请公布号 |
TWI525791 |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
申请号 |
TW100113203 |
申请日期 |
2011.04.15 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
伊藤良明;王丸拓郎;鎌田康一郎 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01);H01L21/8248(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种半导体装置,其包含:第一电晶体,其包含第一半导体膜;第二电晶体,其包含第一氧化物半导体膜;及二极体,其包含第二半导体膜及第二氧化物半导体膜,其中该第一半导体膜及该第二半导体膜系形成在同一绝缘表面上,及其中该第一氧化物半导体膜及该第二氧化物半导体膜包含相同的氧化物半导体。 |
地址 |
日本 |