发明名称 半导体制造装置之原料气体供给装置
摘要 可以不使用载气体而仅对液体原料气体之蒸气、亦即原料气体,进行高精确度之流量控制之同时,可以稳定地供给至制程腔室,同时可以达成原料气体供给装置之构造之简素化及小型化。
申请公布号 TWI525734 申请公布日期 2016.03.11
申请号 TW101117394 申请日期 2012.05.16
申请人 富士金股份有限公司 发明人 永濑正明;日高敦志;平田薰;土肥亮介;西野功二;池田信一
分类号 H01L21/67(2006.01) 主分类号 H01L21/67(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项 一种半导体制造装置之原料气体供给装置,其特征为由以下构成:液体原料气体供给源;来源贮槽,贮存上述液体原料气体;气体流通路,用于由上述来源贮槽之内部上方空间部,将液体原料气体蒸气、亦即原料气体供给至制程腔室;自动压力调整器,系介设于该气体流通路之上流侧,用于将供给至制程腔室的原料气体之供给压保持于设定值;供给气体切换阀,系介设于上述气体流通路之下流侧,用于对原料气体之供给至制程腔室的通路进行开关;开口部,系设置于该供给气体切换阀之入口侧与出口侧之其中至少一方,用于调整供给至制程腔室的原料气体之流量;及恒温加热装置,用于将上述来源贮槽、上述气体流通路、供给气体切换阀及开口部加热至设定温度,将来源贮槽之温度保持于设定值之同时,藉由自动压力调整器针对由来源贮槽之内部上方空间部所导出的液体原料气体之蒸气、亦即原料气体对制程腔室之供给压进行控制,将自动压力调整器之二次侧气体流通路内的原料气体之供给压力保持于所要之设定压力之同时,使设定流量之原料气体经由开口部供给至制程腔室而构成。
地址 日本
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