半导体装置

摘要

目标为降低包含记忆体电路的半导体装置的功率消耗。在包含记忆体电路的半导体装置中，记忆体电路在为字元线及位元线所彼此相交界定的区域中，包含有含有半导体元件的记忆体格及未含有半导体元件的记忆体格。使用氧化物半导体所形成之电晶体系被使用作为该半导体元件，以具有极端低之关断状态电流，使得读取准确度被改良及因此可以执行低压操作。记忆体格储存资料高或资料低。包含半导体元件的记忆体格储存高与低的少量资料，及未包含半导体元件的记忆体格储存高与低的主要资料。

主权项

一种半导体装置，包含：中央处理单元；及记忆体电路，包含：第一记忆体格，为第一位元线及与第一位元线彼此相交叉的第一字元线所定义；及第二记忆体格，为第二位元线及与第二位元线彼此相交叉的第二字元线所定义，其中该第一记忆体格包含第一电晶体，其中该第二记忆体格并未包含半导体元件，其中该第一电晶体在通道形成区域中包含氧化物半导体，其中该第一电晶体的闸极电连接至该第一字元线，该第一电晶体的汲极电连接至该第一位元线，及该第一电晶体的源极电连接至参考电位线，其中该记忆体电路储存程式之资料，及其中该中央处理单元被架构以根据该程式执行运算。