发明名称 在无核心基体处理中之电解金或金钯表面修整应用技术
摘要 系一些包含具有表面修整层(surface finish)之无核心基体的电子总成和彼等之制作。有一种方法包括将第一铜质层以电解方式电镀进一个图案化光阻层内之开口中之一个金属核心上。一个金质层系以电解方式电镀至该开口中之该第一铜质层上。一个以电解方式电镀之钯质层系形成在该金质层上面。一个第二铜质层系以电解方式电镀至该钯质层上。在以电解方式电镀该第二铜质层之后,该金属核心和该第一铜质层便会被移除,其中,会有一个无核心基体留下。其他之实施例被叙述及主张。
申请公布号 TWI525226 申请公布日期 2016.03.11
申请号 TW100134347 申请日期 2011.09.23
申请人 英特尔公司 发明人 吴涛;古鲁莫西 恰拉法那库玛拉
分类号 C25D5/10(2006.01);C25D7/12(2006.01);H01L21/288(2006.01) 主分类号 C25D5/10(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项 一种方法,其包括:提供一个金属核心,该金属包括铜;在该金属核心上,形成一个图案化光阻层;在该图案化光阻层内的一个开口中,以电解方式电镀一个第一铜质层在该金属核心上;在该开口中之该第一铜质层上,以电解方式电镀一个金质层,而使得该第一铜质层系位于该金属核心与该金质层之间;在该金质层上,以电解方式电镀一个钯质层,而使得该金质层系位于该第一铜质层与该钯质层之间;在该钯质层上,以电解方式电镀一个第二铜质层;其中,该金质层包含一个与该第一铜质层直接接触之第一表面,和一个与该钯质层直接接触之第二表面;其中,该钯质层包含一个与该金质层直接接触之第一表面,和一个与该第二铜质层直接接触之第二表面;移除该图案化光阻层;形成与该核心接触且从该核心延伸至该第二铜质层之一表面之一电介质材料;于该电介质材料上形成一通路,该通路被配置以暴露该第二铜质层之一部分;在该电介质材料上及在该通路中所暴露之该第二铜质层之表面之该部分上形成一金属层;移除该金属核心和该第一铜质层而暴露出该金质 层,其中会保留一个无核心基体,该无核心基体包括一板侧及一晶粒侧,该板侧包括经暴露出之该金质层;配置一电路板邻近于该无核心基体,使得该无核心基体之该板侧面对该电路板;在该电路板及在该无核心基体之该板侧上之经暴露出之该金质层间置备焊接剂;加热该焊接剂以形成在在该电路板及在该无核心基体之该板侧间一焊接剂接点;及耦接一半导体晶粒至该无核心基体之该晶粒侧。
地址 美国