| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10); – Aufbringen einer photoleitfähigen Schicht (34) auf eine Strahlungsaustrittsfläche (31) des Halbleiterkörpers, wobei der Halbleiterkörper dazu ausgebildet ist, im Betriebszustand elektromagnetische Strahlung zu emittieren; – Belichten zumindest eines Teilbereichs (34') der photoleitfähigen Schicht mit von dem Halbleiterkörper erzeugter elektromagnetischer Strahlung; – Abscheiden einer Konversionsschicht (44, 45) auf dem Teilbereich (34') der photoleitfähigen Schicht durch einen Elektrophoreseprozess. |
