トランジスタ、トランジスタの放熱構造及びトランジスタの製造方法

摘要

半導体成長基材と半導体熱電効果装置を備えるトランジスタを提供する。前記半導体熱電効果装置は、前記半導体成長基材上に成長される半導体化合物層（２）と、前記半導体化合物層（２）上に成長される金属層（３）と、前記金属層（３）上に成長される導熱層（４）と、前記導熱層（４）上に成長される熱電対導熱装置と、前記導熱層（４）に対向する前記熱電対導熱装置における他方の面に成長される放熱層（９）とを備え、前記熱電対導熱装置は、前記導熱層（４）上に成長され熱電対導熱装置に電気的に接続される給電アーム（５）をさらに備える。トランジスタの熱をスムーズに導出して放熱させることができ、電力増幅器のチューブ及びその周囲素子の信頼性を顕著に向上させ、高温での電力増幅器の性能指標も大幅に改善されながら、機器の使用寿命を延長させ、競争力を向上させることができる。