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发明名称 バナジウムドープ単結晶およびその成長方法
摘要 【解決手段】 昇華成長されたＳｉＣ単結晶は、ＳｉＣ単結晶の成長中にＳｉＣ単結晶の成長環境中にガス状バナジウムを導入することによってＳｉＣ単結晶構造中に包含される、バナジウムドーパントを含む。【選択図】図１０Ａ
申请公布号 JP2016507467(A) 申请公布日期 2016.03.10
申请号 JP20150559228 申请日期 2013.11.12
申请人 トゥー‐シックス・インコーポレイテッド 发明人 ツビーバック，イルヤ;アンダーソン，トーマス，イー．;グプタ，アヴィネッシュ，ケー．;ノーラン，マイケル，シー．;ブロハード，ブライアン，ケー．;ルーランド，ゲイリー，イー．
分类号 C30B29/36 主分类号 C30B29/36
代理机构 代理人
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