| 摘要 |
Высоковольтный кремниевый диод с резким обрывом обратного тока, полупроводниковая структура которого имеет высоколегированные эмиттерные слои n- и р-типа проводимости, расположенные на противоположных сторонах исходной кремниевой пластины, и базовую область между ними, отличающийся тем, что эта базовая область имеет p-тип проводимости и состоит из двух слоев, один из которых является исходным слаболегированным кремнием р- типа проводимости с удельным сопротивлением в диапазоне 5≤р≤100 Ом∙см, а другой - более сильно легированным р-слоем, полученным, например, путем диффузии примеси p-типа в исходный материал на глубину 20-70 мкм. |
