| 摘要 |
複合半導体部品の作製方法であって、（ｉ）厚さｔdの合成ダイヤモンド材料のウェーハを有する弓形に曲げられた基板を用意するステップを含み、弓形に曲げられた基板は、量Ｂだけ弓形に曲げられていて凸状フェース及び凹状フェースを有し、（ｉｉ）化合物半導体材料の層を化学気相成長法により成長温度Ｔで弓形に曲げられた基板の凸状フェース上に成長させて弓形に曲げられた基板の凸状フェース上に厚さｔscの化合物半導体材料の層を有する弓形に曲げられた複合半導体部品を形成するステップを含み、化合物半導体材料は、成長温度Ｔと室温との間で合成ダイヤモンド材料よりも高い平均熱膨張率を有し、それにより熱膨張率の不一致ΔＴecをもたらし、（ｉｉｉ）弓形に曲げられた複合半導体部品を冷却するステップを含み、化合物半導体材料の層は、熱膨張率の不一致ΔＴecに起因して冷却中、合成ダイヤモンド材料のウェーハ以上に収縮し、上記において、Ｂ、ｔd、ｔsc、及びΔＴecは、化合物半導体材料の層が冷却時に、弓形に曲げられた基板の弓形曲がり度を相殺する量だけ収縮するよう選択され、かくして、弓形に曲げられた複合半導体部品が平べったい形態にされ、化合物半導体材料の層は、冷却後、５００ＭＰａ未満の引張応力を有することを特徴とする方法。【選択図】図１ |
