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Die Schrift beschreibt bipolare elektronisches Bauelemente (Poly_Da, Poly_Db), die in einem CMOS-Prozess in polykristallinem Silizium (PSD) gefertigt sind. Die bipolaren Bauelemente (Poly_Da, Poly_Db) weisen zumindest einen n-dotierten Bereich (n_poly_a, n_poly_b) und zumindest einen p-dotierten Bereich (p_poly_a, p_poly_b) auf. Durch eine Silizidierung (sil_m) ist sichergestellt, dass ein Stromfluss bei Anlegen einer Spannung von einem ersten p-dotierten Bereich (p_ploy_a) in einen zweiten n-dotierten Bereich (n_poly_b) möglich ist. Ein erfindungsgemäßes Bauelement (Poly_Da, Poly_Db) ist bei Nichtberücksichtigung seiner Verdrahtung (sil_m, sil_b, sil_a), die zur Nutzbarmachung des Bauelementes (Poly_Da, Poly_Db) in einer Verschaltung notwendig ist, ohne diese Verdrahtung elektrisch isoliert gegenüber anderen Bauelementen. Weitere Ausprägungen des erfindungsgemäßen Bauelements (Poly_Da, Poly_Db) weisen einen schwach oder undotierten Bereich (i_poly_a, i_poly_b) auf. Bei dem bipolaren Bauelement kann es sich insbesondere um eine Poly-Silizium-PN-Diode (Poly_Da, Poly_Db) (eine PN-Diode), eine Poly-Silizium-PIN-Diode, einen Poly-Silizium-PNP-Transistor oder einen Poly-Silizium-NPN-Transistor handeln. Der Anschluss und die Zusammenschaltung mit anderen gleichartigen Bauelementen erfolgt vorzugsweise durch silizidiertes polykristallines Silizium (sil_m). In einer weiteren Ausprägung weist das Bauelement ein thermisches Fenster (twd) auf über das es beispielsweise thermisch mit dem Substrat eines MOS-Transistors thermisch leitend verbunden ist. Ganz besonders bevorzugt ist das bipolare elektronische Bauelement (Poly_Da, Poly_Db) oberhalb der Gate-Elektrode (G) eines MOS-Transistors gefertigt, wenn das Substrat (Sub) unten angeordnet ist. Die entsprechenden Schaltkreise auf Basis dieser Bauelemente werden angesprochen |
