发明名称 Gehäusestrukturen und Verfahren zu ihrer Ausbildung
摘要 Es sind Verfahren zum Ausbilden und Strukturen von Gehäusen hier beschrieben. In einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren das Ausbilden einer rückseitigen Umverteilungsstruktur und nach dem Ausbilden der rückseitigen Umverteilungsstruktur das Befestigen eines ersten integrierten Schaltungs-Dies an der rückseitigen Umverteilungsstruktur. Das Verfahren umfasst weiter das Kapseln des ersten integrierten Schaltungs-Dies auf der rückseitigen Umverteilungsstruktur mit einem Kapselungsmaterial, das Ausbilden einer vorderseitigen Umverteilungsstruktur auf dem Kapselungsmaterial und das elektrische Verbinden eines zweiten integrierten Schaltungs-Dies an dem ersten integrierten Schaltungs-Die. Der zweite integrierte Schaltungs-Die ist an dem ersten integrierten Schaltungs-Die über erste externe elektrische Anschlussteile elektrisch verbunden, die an der vorderseitigen Umverteilungsstruktur mechanisch befestigt sind.
申请公布号 DE102014114633(A1) 申请公布日期 2016.03.10
申请号 DE201410114633 申请日期 2014.10.09
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. 发明人 YU, CHEN-HUA;YEH, DER-CHYANG;CHEN, HSIEN-WEI
分类号 H01L21/60;H01L21/58;H01L23/50;H01L25/065 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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