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Wenn eine Metallisierungsschicht 40 an den Durchgangslöchern 30 in Halbleiter-Packages gebildet wird, werden erste und zweite gestapelte Körper 10, 20 aufeinander gestapelt, wobei in dem ersten und dem zweiten gestapelten Körper 10, 20 gebildete erste und zweite Ausnehmungen 15a und 15b (25a und 25b) nach innen weisen und durch Anbringen eines Haftmittels an deren Randbereichen R0 miteinander verbunden sind, so dass die Ausnehmungen der gestapelten Platten abgedichtete Räume bilden, und die Durchgangslöcher 30 werden so gebildet, dass ein Teil des ersten und des zweiten gestapelten Körpers 10, 20 einschließlich einer Verbindungsfläche bestehen bleibt. Dann werden die Durchgangslöcher 30 metallisiert, um die Metallisierungsschicht 40 zu bilden, die Randbereiche R0 werden als Schneidzugaben, das heißt entfernbare Bereiche, entfernt, und der erste gestapelte Körper und der zweite gestapelte Körper werden entlang von Trennlinien DL in eine Mehrzahl von Stücken geteilt, um Halbleiter-Packages zu bilden. |
