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In einer Ausführungsform wird ein Shuntwiderstand bereitgestellt, der zwei Anschlüsse, ein Halbleitersubstrat, das zumindest einen, umfassenden Temperatursensor enthält, der zumindest ein temperaturempfindliches, zumindest einen pn-Übergang umfassendes Element umfasst, sowie zumindest zwei Metallschichten über dem Halbleitersubstrat umfasst, wobei zumindest die obere der Metallschichten einen Pfad umfasst, welcher die beiden Anschlüsse elektrisch verbindet, wobei der Temperatursensor unterhalb und innerhalb des Randes der unteren Metallschicht ist. |
