Transistor mit einer hohen Elektronenbeweglichkeit, der eine vergrabene Feldplatte aufweist

摘要

Es wird ein Feldeffekttransistor mit einer hohen Elektronenbeweglichkeit gebildet, der ein Puffergebiet mit einem abgestuften lateralen Profil aufweist, wobei das abgestufte laterale Profil einen ersten, einen zweiten und einen dritten Querschnitt des Puffergebiets aufweist, wobei der erste Querschnitt dicker als der dritte Querschnitt ist und eine vergrabene Feldplatte aufweist und der zweite Querschnitt zwischen dem ersten und dem dritten Querschnitt angeordnet ist und schräge Winkel mit dem ersten und dem dritten Querschnitt bildet. Ein Barrieregebiet wird entlang dem abgestuften lateralen Profil gebildet. Das Barrieregebiet wird von der vergrabenen Feldplatte durch einen Abschnitt des Puffergebiets getrennt. Das Puffergebiet wird aus einem ersten Halbleitermaterial gebildet, und das Barrieregebiet wird aus einem zweiten Halbleitermaterial gebildet. Das erste und das zweite Halbleitermaterial haben unterschiedliche Bandlücken, so dass ein elektrisch leitender Kanal eines zweidimensionalen Ladungsträgergases an einer Grenzfläche zwischen dem Puffer- und dem Barrieregebiet entsteht.