发明名称 Halbleitervorrichtung und Halbleiterelement
摘要 Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterelement (20, 80, 90), das einen ersten Elementabschnitt (10, 82, 92) mit einem ersten Gate (G1) und einen zweiten Elementabschnitt (12, 84, 94) mit einem zweiten Gate (G2) enthält, wobei das Ein- und Ausschalten des ersten Elementabschnitts (10, 82, 92) durch ein Signal an dem ersten Gate (G1) gesteuert wird und das Ein- und Ausschalten des zweiten Elementabschnitts (12, 84, 94) durch ein Signal an dem zweiten Gate (G2) gesteuert wird, und einem Signalübertragungsmittel (14), das mit dem ersten Gate (G1) und dem zweiten Gate (G2) verbunden ist und ein Signal an das erste Gate (G1) und das zweite Gate (G2) so überträgt, dass der erste Elementabschnitt (10, 82, 92) und der zweite Elementabschnitt (12, 84, 94) gleichzeitig eingeschaltet werden, wenn das Halbleiterelement (20, 80, 90) eingeschaltet werden soll, und dass der zweite Elementabschnitt (12, 84, 94) um eine Verzögerungszeit später ausgeschaltet wird, nachdem der erste Elementabschnitt (10, 82, 92) ausgeschaltet wurde, wenn das Halbleiterelement (20, 80, 90) ausgeschaltet werden soll, bei der der zweite Elementabschnitt (84, 94) so gebildet ist, dass er den ersten Elementabschnitt (82, 92) umgibt.
申请公布号 DE102012203595(B4) 申请公布日期 2016.03.10
申请号 DE201210203595 申请日期 2012.03.07
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 发明人 HUSSEIN, KHALID HASSAN;SAITO, SHOJI
分类号 H03K17/567;H01L27/06;H01L29/16;H01L29/20;H01L29/36;H01L29/739 主分类号 H03K17/567
代理机构 代理人
主权项
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