发明名称 |
増大したチャネル領域有効幅を有する不揮発性メモリセル及びその製造方法 |
摘要 |
離間した平行な分離領域(128)を有するメモリデバイスアレイであって、隣接する分離領域のそれぞれの対の間に活性領域のあるメモリデバイスアレイが、半導体基板(12)内に形成される。それぞれの分離領域は、基板表面の中へと形成されたトレンチと、トレンチ内に形成された絶縁材とを含む。絶縁材の上面の一部は、基板の表面の下に窪んでいる。それぞれの活性領域は、チャネル領域(18)を介して離間した第1及び第2の領域(16)と、第1のチャネル領域部分の上にある浮遊ゲート(22)と、第2のチャネル領域部分の上にある選択ゲート(20)と、をそれぞれ有するメモリセルの列を含む。選択ゲートは、分離領域と垂直に延在し、メモリセルの1つの行のための選択ゲートをそれぞれ形成する、連続的なワード線として形成される。それぞれのワード線の部分は、トレンチの中へと下方に延在する。 |
申请公布号 |
JP2016507908(A) |
申请公布日期 |
2016.03.10 |
申请号 |
JP20150559319 |
申请日期 |
2014.03.03 |
申请人 |
シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. |
发明人 |
ド ナン;トラン ヒュー ヴァン;スー チェン−シェン;トゥンタスード プラティープ |
分类号 |
H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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