发明名称 一种高发热碳晶板及其制备方法
摘要 本发明旨在提供一种高发热碳晶板及其制备方法,其特征在于所述高发热碳晶板是通过等离子辅助化学气相沉积的方法在硬质塑料板的表面沉积厚度10~1000nm的石墨烯、S<sub>i</sub>C涂层,然后在碳晶板的两个表面涂覆耐高温绝缘层。用该方法制备的碳晶板不仅可以满足发热体本身的工作温度极大的降低,而且也可以使得发热体的结构和分布更加均匀,发热均匀性好、高发热、能快速升温,且不易氧化、使用寿命长。
申请公布号 CN104144531B 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201410389921.1 申请日期 2014.08.08
申请人 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 发明人 陈照峰;吴操
分类号 H05B3/20(2006.01)I;H05B3/10(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I 主分类号 H05B3/20(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种高发热碳晶板的制备方法,该碳晶板是由硬质塑料板和表面的石墨烯、SiC涂层组成,所述的硬质塑料材质为聚酰胺、酚醛树脂、环氧树脂或聚酰亚胺,所述涂层厚度为10‑1000nm,所述涂层两个表面附耐高温绝缘层;其特征在于该制备方法包括下述顺序的步骤:(1)用去离子水超声清洗硬质塑料板10min,30~50℃烘干,放入化学气相沉积炉中,经Ar去除表面残留物;(2)借助双频容性耦合等离子体放电技术,以CH<sub>4</sub>/Ar为前驱气体,在1~100Pa条件下沉积时间为3~100h;(3)将沉积好石墨烯的样品放置于高温真空管式炉中在170~250℃,1×10<sup>‑1</sup>~20Pa的条件下进行退火处理1~20h;(4)借助双频容性耦合等离子体放电技术,以三氯甲基硅烷为源气体,氢气为载气,Ar为稀释气体,在温度150~260℃,1×10<sup>‑1</sup>~60Pa压力下沉积40~500h;沉积过程中根据需要调整源气体、载气和稀释气体的流量;(5)将步骤(4)所制备的碳晶板上下两个表面各自涂覆一层耐高温绝缘层。
地址 215400 江苏省苏州市太仓市城厢镇人民南路162号